Gruppe-Iii-Nitrid-Halbleiterlaserelement sowie Verfahren zur Herstellung eines Gruppe-Iii-Nitrid-Halbleiterlaserelements
EP2667464
Art A1
27. November 2013
Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd., Sony Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2667464
- Aktenzeichen
- EP12736718
- Anmeldetag
- 19. Januar 2012
- Veröffentlichung
- 27. November 2013
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01S5/343H01S5/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Sony Corporation - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
11.186 Patente in unserer Datenbank
🇯🇵
Sony Group
Japanischer Technologie- und Unterhaltungskonzern mit Sitz in Tokio. Sony entwickelt Unterhaltungselektronik, Bildsensoren, Spielesysteme sowie Musik- und Filmangebote.
37.212 Patente in unserer Datenbank