Halbleitervorrichtung mit einem Oxid-Lötfließstoppbereich auf einem Substrat und Herstellungsverfahren dafür

EP2669938 Art A3 9. April 2014

Anmelder: Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd., Hitachi Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2669938
Aktenzeichen
EP13169401
Anmeldetag
27. Mai 2013
Veröffentlichung
9. April 2014
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/60H01L23/373H01L23/544H01L21/48// H01L25/07
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd.
Hitachi Ltd.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Hitachi

Japanischer Konzern, der Technik für Energie, Bahn, Industrieanlagen, Informationstechnik und Haushaltsgeräte entwickelt und herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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