Dünnfilmtransistorspeicher und Herstellungsverfahren dafür
EP2672514
Art A1
11. Dezember 2013
Anmelder: Fudan University 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2672514
- Aktenzeichen
- EP12794625
- Anmeldetag
- 24. April 2012
- Veröffentlichung
- 11. Dezember 2013
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/115H01L29/423H01L21/8247H01L21/31H01L29/788H01L29/66H01L29/792
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Fudan University
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Fudan University
Die Fudan University ist eine chinesische Eliteuniversität mit Sitz in Shanghai und breiter Forschung in Medizin und Chemie. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Gesundheit sowie organische Chemie, ergänzt durch Pharma und Halbleitertechnik. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2025.
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Withers & Rogers
München, Deutschland
Withers & Rogers zählt zu Europas größten IP-Kanzleien und ist neben Großbritannien auch in Paris und seit 2019 in München vertreten. Ihre erklärte Aufgabe: Mandanten den oft unübersichtlichen europäischen IP-Schutz verständlich zu machen.
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