Verfahren zur Herstellung einer Wärmeableitenden Platte für ein Halbleitermodul, Wärmeableitende Platte und Verfahren zur Herstellung eines Halbleitermoduls mit Dieser Wärmeableitenden Platte
EP2674971
Art B1
7. April 2021
Anmelder: Fuji Electric Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2674971
- Aktenzeichen
- EP11858194
- Anmeldetag
- 2. September 2011
- Veröffentlichung
- 7. April 2021
- Erteilung
- 7. April 2021
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/00H01L23/36H01L23/373H01L21/48H01L23/12H05K7/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Fuji Electric Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Fuji Electric
Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.
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Vertreten von
-
Hoffmann Eitle
Hoffmann Eitle · München