Halbleiterstruktur mit verbesseter Geräuschisolierung zwischen einem Dichtungsring und aktiven Schaltkreisen
EP2674974
Art A1
18. Dezember 2013
Anmelder: Broadcom Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2674974
- Aktenzeichen
- EP12008551
- Anmeldetag
- 21. Dezember 2012
- Veröffentlichung
- 18. Dezember 2013
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/58H01L23/532
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Broadcom Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Broadcom
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Fokus auf Kommunikations-, Netzwerk- und Speicherchips. Die ursprüngliche Broadcom Corporation ging 2016 in der heutigen Broadcom Inc. auf.
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Jehle, Volker Armin
München, Deutschland
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