Kupfer-Titan-Legierungs-Sputtertarget, aus dem Sputtertarget Geformte Halbleiterverdrahtungsleitung sowie mit der Halbleiterverdrahtungsleitung Ausgestattete Vorrichtung und mit der Halbleiterverdrahtungsleitung Ausgestattetes Halbleiterelement
EP2682499
Art A1
8. Januar 2014
Anmelder: JX Nippon Mining & Metals Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2682499
- Aktenzeichen
- EP12752228
- Anmeldetag
- 15. Februar 2012
- Veröffentlichung
- 8. Januar 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C23C14/34C22C9/00C22F1/08H01L21/28H01L21/285H01L21/3205H01L23/52C22F1/00C23C14/16H01L23/532
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- JX Nippon Mining & Metals Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
JX Nippon Mining & Metals
JX Nippon Mining & Metals Corporation ist ein japanisches Unternehmen der Nichteisenmetallindustrie, das Kupfer, Halbleitermaterialien und Metallverarbeitung herstellt, Teil der ENEOS-Gruppe.
1.069 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Hoarton, Lloyd Douglas Charles
München, Deutschland
1.651
Patente gesamt
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Fachgebiete
27
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Schwerpunkte
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-
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Forresters IP LLP · München