Feldeffekttransistor, Einzelelektronentransistor und Sensor damit
EP2685251
Art A3
5. März 2014
Anmelder: Japan Science and Technology Agency 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2685251
- Aktenzeichen
- EP13181482
- Anmeldetag
- 27. August 2004
- Veröffentlichung
- 5. März 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G01N27/414B82Y10/00B82Y30/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Japan Science and Technology Agency
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Japan Science and Technology Agency
Japanische staatliche Förderorganisation für Wissenschaft und Technologie, die Forschungsprojekte finanziert und den Technologietransfer zwischen Universitäten und Industrie unterstützt. Die Behörde untersteht dem japanischen Bildungsministerium.
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Fachgebiete
Vertreten von
-
Hoffmann Eitle
Hoffmann Eitle · München