Verfahren zur Herstellung eines Soi-Substrats für Radiofrequenzanwendungen

EP2689453 Art B1 4. November 2020

Anmelder: Soitec, Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2689453
Aktenzeichen: EP12710087
Anmeldetag: 22. März 2012
Veröffentlichung: 4. November 2020
Erteilung: 4. November 2020
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/02H01L21/762

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Soitec
Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von