Halbleitervorrichtung mit Verstärkungsfaktor mit Weniger Abhängigkeit vom Stromwert
EP2693463
Art A1
5. Februar 2014
Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2693463
- Aktenzeichen
- EP12763747
- Anmeldetag
- 1. Februar 2012
- Veröffentlichung
- 5. Februar 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/331H01L29/732H01L29/10
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.
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Fachgebiete
Vertreten von
Haley, Stephen
London, Großbritannien
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-
Gill Jennings & Every LLP
Gill Jennings & Every LLP · London