Hemt-Transistoren aus (iii-B) -N-Halbleitern mit Grossem Bandabstand und mit Bor
Anmelder: THALES, Centre National de la Recherche Scientifique, Alcatel Lucent, Université de Lille 1 Sciences et Technologies, Georgia Institute Of Technology, Thales, ALCATEL LUCENT 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2697831
- Aktenzeichen
- EP12717088
- Anmeldetag
- 16. April 2012
- Veröffentlichung
- 19. Februar 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/778H01L29/201H01L23/29H01L29/15H01L29/205H01L29/04
Abstract
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Anmelder
- Firmen
- THALES
Centre National de la Recherche Scientifique
Alcatel Lucent
Université de Lille 1 Sciences et Technologies
Georgia Institute Of Technology
Thales
ALCATEL LUCENT - Land
- 🇫🇷 Frankreich
Französischer Technologiekonzern mit Sitz in Paris, aktiv in Luft- und Raumfahrt, Verteidigungstechnik, Sicherheitstechnologie sowie Bahn- und Kommunikationssystemen für zivile und militärische Anwendungen.
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Französische staatliche Forschungsorganisation mit Sitz in Paris. Betreibt Grundlagen- und angewandte Forschung in nahezu allen wissenschaftlichen Disziplinen über zahlreiche Institute und Labore.
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Ehemaliger französisch-amerikanischer Telekommunikationskonzern mit Sitz in Paris/Boulogne-Billancourt, entstanden 2006 aus der Fusion von Alcatel und Lucent Technologies. War aktiv in Netzwerktechnik, Telekommunikationsausrüstung und Glasfasertechnologie; seit 2016 Teil von Nokia.
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