Verfahren zur Herstellung eines Dotierungsprofils in einem Halbleitersubstrat
EP2698806
Art A1
19. Februar 2014
Anmelder: Fraunhofer Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2698806
- Aktenzeichen
- EP12180225
- Anmeldetag
- 13. August 2012
- Veröffentlichung
- 19. Februar 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/225H01L21/324H01L31/18
Abstract
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Anmelder
- Firma
- Fraunhofer Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V.
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Fraunhofer-Gesellschaft
Deutsche gemeinnützige Forschungsorganisation mit Sitz in München. Betreibt anwendungsorientierte Forschung in Technik und Naturwissenschaften über zahlreiche Institute für Industrie und Gesellschaft.
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