Halbleiterstrukturen mit Nukleierungsschicht zur Verhinderung von Grenzflächenladung für Säule-Iii-V-Materialien auf Säule-Iv- oder Säule-Iv-Iv-Materialien
EP2700087
Art A1
26. Februar 2014
Anmelder: Raytheon Company 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2700087
- Aktenzeichen
- EP12715756
- Anmeldetag
- 9. März 2012
- Veröffentlichung
- 26. Februar 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Raytheon Company
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Raytheon Company
US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.
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