Elektronische Vorrichtung mit untiefen Grabenisolationsregionen (STI) mit unterer Nitridabdichtung und oberer Oxidabdichtung und zugehörige Verfahren
EP2701186
Art B1
30. März 2022
Anmelder: STMicroelectronics, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2701186
- Aktenzeichen
- EP13179640
- Anmeldetag
- 7. August 2013
- Veröffentlichung
- 30. März 2022
- Erteilung
- 30. März 2022
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/762
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- STMicroelectronics, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇨🇭
STMicroelectronics International
Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.
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Page White & Farrer
Page White & Farrer wurde bereits 1977 als Londoner Kanzlei europäischer Patentanwälte eingetragen, mit weiteren Büros in Leeds, Exeter und München. Berät zu Patenten, Marken, Designrechten sowie IP-Strategie und Finanzierungsrunden, Schwerpunkte Künstliche Intelligenz, Life Sciences und Cleantech.
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