Elektronische Vorrichtung mit untiefen Grabenisolationsregionen (STI) mit unterer Nitridabdichtung und oberer Oxidabdichtung und zugehörige Verfahren

EP2701186 Art B1 30. März 2022

Anmelder: STMicroelectronics, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2701186
Aktenzeichen
EP13179640
Anmeldetag
7. August 2013
Veröffentlichung
30. März 2022
Erteilung
30. März 2022
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/762
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
STMicroelectronics, Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇨🇭 STMicroelectronics International

Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.

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Kanzlei
Page White & Farrer

Page White & Farrer wurde bereits 1977 als Londoner Kanzlei europäischer Patentanwälte eingetragen, mit weiteren Büros in Leeds, Exeter und München. Berät zu Patenten, Marken, Designrechten sowie IP-Strategie und Finanzierungsrunden, Schwerpunkte Künstliche Intelligenz, Life Sciences und Cleantech.

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