Multi-Fin-FinFET-Vorrichtung mit epitaxialer Wachstumbarriere auf Außenflächen von äußersten Rippen und zugehörige Verfahren
EP2701197
Art A1
26. Februar 2014
Anmelder: Bell Semiconductor, LLC, STMicroelectronics International N.V., STMicroelectronics, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2701197
- Aktenzeichen
- EP13179638
- Anmeldetag
- 7. August 2013
- Veröffentlichung
- 26. Februar 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/66H01L29/78H01L29/08H01L21/8238H01L21/84
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Bell Semiconductor, LLC
STMicroelectronics International N.V.
STMicroelectronics, Inc. - Land
- 🇺🇸 USA
🇨🇭
STMicroelectronics International
Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.
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