Multi-Fin-FinFET-Vorrichtung mit epitaxialer Wachstumbarriere auf Außenflächen von äußersten Rippen und zugehörige Verfahren

EP2701197 Art A1 26. Februar 2014

Anmelder: Bell Semiconductor, LLC, STMicroelectronics International N.V., STMicroelectronics, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2701197
Aktenzeichen
EP13179638
Anmeldetag
7. August 2013
Veröffentlichung
26. Februar 2014
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/66H01L29/78H01L29/08H01L21/8238H01L21/84
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
Bell Semiconductor, LLC
STMicroelectronics International N.V.
STMicroelectronics, Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇨🇭 STMicroelectronics International

Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.

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Kanzlei
Page White & Farrer

Page White & Farrer wurde bereits 1977 als Londoner Kanzlei europäischer Patentanwälte eingetragen, mit weiteren Büros in Leeds, Exeter und München. Berät zu Patenten, Marken, Designrechten sowie IP-Strategie und Finanzierungsrunden, Schwerpunkte Künstliche Intelligenz, Life Sciences und Cleantech.

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