Hocheffiziente CMOS-kompatible Gitterkoppler mit rückseitigem Metallspiegel

EP2703858 Art B1 1. Februar 2017

Anmelder: Universität Stuttgart, Institut Für Mikroelektronik Stuttgart 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2703858
Aktenzeichen
EP12006205
Anmeldetag
31. August 2012
Veröffentlichung
1. Februar 2017
Erteilung
1. Februar 2017
Rechtsraum
EP
IPC
G02B6/30
Offizieller Volltext

Abstract

The invention generally relates to grating couplers based on silicon-on-insulator technology. On the back side of the wafer membrane windows are etched extending to the buried oxide layer of the SOI wafer and a mirror layer is then deposited within the membrane windows on the back side of the buried oxide layer.

Anmelder

Firmen
Universität Stuttgart
Institut Für Mikroelektronik Stuttgart
Land
🇩🇪 Deutschland
🇩🇪 Universität Stuttgart

Deutsche Universität mit Schwerpunkt auf Ingenieur- und Naturwissenschaften, betreibt Forschung unter anderem in Fahrzeugtechnik, Luft- und Raumfahrt sowie Materialwissenschaft.

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