Verfahren zum Herstellen einer Siliciumkarbid-Halbleitervorrichtung

EP2704183 Art A3 21. Mai 2014

Anmelder: Fuji Electric Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2704183
Aktenzeichen: EP13176458
Anmeldetag: 15. Juli 2013
Veröffentlichung: 21. Mai 2014
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fuji Electric Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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