Verfahren zur Bildung einer Leiterbahn mit niedrigem Widerstand und diese verwendenes Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilmtransistors

Details

Veröffentlichungs-Nr.

EP2706573

Aktenzeichen

EP12198655

Anmeldetag

20. Dezember 2012

Veröffentlichung

15. Februar 2017

Erteilung

15. Februar 2017

Rechtsraum

EP

IPC

H01L29/49H01L29/45H01L29/66H01L29/423H01L29/786H01L21/311H01L29/40H01L21/768

Abstract

This document relates to a method of forming low-resistance metal gate and data wirings and a method of manufacturing a thin film transistor using the same. The method of the wiring includes depositing a metal layer on a base layer; exposing a portion of the base layer by removing a portion of the metal layer; forming grooves in the base layer; forming a seed layer in the grooves of the base layer; and forming a wire consisting of the seed layer and a plated layer by plating a plating material on the seed layer formed in the grooves of the base layer.

Anmelder

Firma

LG Display Co., Ltd.

Land

🇰🇷 Südkorea

Fachgebiete