ReRAM-Vorrichtungsstruktur
EP2706581
Art B1
4. November 2015
Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2706581
- Aktenzeichen
- EP13177826
- Anmeldetag
- 24. Juli 2013
- Veröffentlichung
- 4. November 2015
- Erteilung
- 4. November 2015
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L45/00H01L27/24G11C13/00G11C11/56
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Freescale Semiconductor, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Freescale Semiconductor
Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.
2.392 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Ferro, Frodo Nunes
Toulouse, Frankreich
677
Patente gesamt
24
Fachgebiete
5
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Schwerpunkte