Nichtflüchtiger Speicher mit Ladungspumpe und Verfahren dafür
EP2709108
Art B1
21. Juni 2017
Anmelder: NXP USA, Inc., Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2709108
- Aktenzeichen
- EP13183417
- Anmeldetag
- 6. September 2013
- Veröffentlichung
- 21. Juni 2017
- Erteilung
- 21. Juni 2017
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/423H01L29/788G11C16/14G11C16/30G11C16/12G11C5/14
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NXP USA, Inc.
Freescale Semiconductor, Inc. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
NXP USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
1.545 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Ferro, Frodo Nunes
Toulouse, Frankreich
677
Patente gesamt
24
Fachgebiete
5
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Freescale law department - EMEA patent ops
Freescale law department - EMEA patent ops · Toulouse