P-Seitenschichten für Kurzwellen-Lichtemitter

EP2709170 Art B1 26. Juli 2017

Anmelder: Palo Alto Research Center Incorporated 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2709170
Aktenzeichen
EP13184374
Anmeldetag
13. September 2013
Veröffentlichung
26. Juli 2017
Erteilung
26. Juli 2017
Rechtsraum
EP
IPC
H01L33/00H01L33/06H01L33/32H01S5/343H01L21/02H01S5/32B82Y20/00// H01L33/14H01S5/34H01S5/042H01S5/20H01S5/30
Offizieller Volltext

Abstract

A light emitting device includes a p-side heterostructure having a short period superlattice (SPSL) formed of alternating layers of Al xhigh Ga 1-xhigh N doped with a p-type dopant and Al xlow Ga 1-xlow N doped with the p-type dopant, where x low ¤ x high ¤ 0.9. Each layer of the SPSL has a thickness of less than or equal to about six bi-layers of AlGaN.

Anmelder

Firma
Palo Alto Research Center Incorporated
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Palo Alto Research Center

US-amerikanisches Forschungsinstitut in Palo Alto, bekannt als PARC, das für Xerox und externe Auftraggeber Grundlagen- und angewandte Forschung in Informatik, Elektronik und Materialwissenschaften betreibt.

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Kanzlei
Gill Jennings & Every LLP The Broadgate Tower

Gill Jennings & Every, Kanzlei für europäisches Patent- und Markenrecht mit Sitz in London (The Broadgate Tower) und weiterem Standort München, vertritt britische und internationale Mandanten bei Sicherung, Verwertung und Durchsetzung von Schutzrechten.

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