Metall-Isolier-Metall-Kondensator innerhalb einer Metallisierungsschicht eines integrierten Schaltkreises und Herstellungsverfahren desselben
EP2711984
Art A1
26. März 2014
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2711984
- Aktenzeichen
- EP12185518
- Anmeldetag
- 21. September 2012
- Veröffentlichung
- 26. März 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/522H01L21/02H01L49/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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