Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements

EP2711986 Art B1 19. August 2020

Anmelder: Fuji Electric Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2711986
Aktenzeichen: EP12785949
Anmeldetag: 18. Mai 2012
Veröffentlichung: 19. August 2020
Erteilung: 19. August 2020
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/739H01L21/336H01L29/78H01L29/08H01L29/36

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Fuji Electric Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

2.075 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von