Halbleitervorrichtung mit Kurzschlussschutz abhängig von einer Niedrigspannungsdetektion

EP2712083 Art B1 25. Februar 2015

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2712083
Aktenzeichen
EP12185257
Anmeldetag
20. September 2012
Veröffentlichung
25. Februar 2015
Erteilung
25. Februar 2015
Rechtsraum
EP
IPC
H03K17/082H03K17/24
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Infineon Technologies AG
Land
🇩🇪 Deutschland
🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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