Halbleitervorrichtung mit Kurzschlussschutz abhängig von einer Niedrigspannungsdetektion
EP2712083
Art B1
25. Februar 2015
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2712083
- Aktenzeichen
- EP12185257
- Anmeldetag
- 20. September 2012
- Veröffentlichung
- 25. Februar 2015
- Erteilung
- 25. Februar 2015
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H03K17/082H03K17/24
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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