FET-RF-Leistungsdetektor
EP2713507
Art B1
10. Dezember 2014
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2713507
- Aktenzeichen
- EP12290325
- Anmeldetag
- 1. Oktober 2012
- Veröffentlichung
- 10. Dezember 2014
- Erteilung
- 10. Dezember 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H03F3/45H04B17/00G01R21/00
Abstract
The invention provides an FET RF signal detector circuit comprising two unbalanced differential transistor pairs, each having at least one variable resistor between a pair of tails of the differential pair. This provides improved circuit performance as well as enabling a calibration function.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
7.918 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Schouten, Marcus Maria
Eindhoven, Niederlande
3.201
Patente gesamt
30
Fachgebiete
16
Anmelder-Länder
Schwerpunkte