Verfahren zur Herstellung eines Mos-Transistors
EP2714582
Art B1
30. September 2015
Anmelder: Elmos Semiconductor Aktiengesellschaft, ELMOS Semiconductor Aktiengesellschaft, ELMOS Semiconductor AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2714582
- Aktenzeichen
- EP12723196
- Anmeldetag
- 24. Mai 2012
- Veröffentlichung
- 30. September 2015
- Erteilung
- 30. September 2015
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- B81C1/00G01L9/00H01L21/764
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Elmos Semiconductor Aktiengesellschaft
ELMOS Semiconductor Aktiengesellschaft
ELMOS Semiconductor AG - Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Elmos Semiconductor
Elmos Semiconductor ist ein deutscher Halbleiterhersteller mit Sitz in Dortmund, spezialisiert auf integrierte Schaltungen für die Automobilindustrie. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Mess-, Prüf- und Zeitmesstechnik sowie Elektronik- und Kommunikationstechnik.
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