FinFET-Vorrichtung mit silizidierten Source-Drain-Bereichen und Verfahren zur Herstellung davon mittels zweistufigem Tempern
EP2722893
Art A1
23. April 2014
Anmelder: STMicroelectronics (Crolles 2) SAS, STMicroelectronics, Inc. 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2722893
- Aktenzeichen
- EP13188852
- Anmeldetag
- 16. Oktober 2013
- Veröffentlichung
- 23. April 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L21/285H01L29/66H01L29/417
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- STMicroelectronics (Crolles 2) SAS
STMicroelectronics, Inc. - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇨🇭
STMicroelectronics International
Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.
4.265 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Kanzlei
Page White & Farrer
Page White & Farrer wurde bereits 1977 als Londoner Kanzlei europäischer Patentanwälte eingetragen, mit weiteren Büros in Leeds, Exeter und München. Berät zu Patenten, Marken, Designrechten sowie IP-Strategie und Finanzierungsrunden, Schwerpunkte Künstliche Intelligenz, Life Sciences und Cleantech.
7.910
Patente gesamt
10
Patentanwälte
2
Standorte