Verfahren zur Herstellung eines Dmos-Transistors mit einem Hohlraum unter dem Driftbereich

EP2724378 Art B1 22. Januar 2020

Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2724378
Aktenzeichen
EP12776943
Anmeldetag
26. April 2012
Veröffentlichung
22. Januar 2020
Erteilung
22. Januar 2020
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/78H01L21/336
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Texas Instruments Incorporated
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Texas Instruments

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Vertreten von
Zeller, Andreas Texas Instruments Deutschland GmbH · Inhouse Freising, Deutschland
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