Herstellungsverfahren für einen N-leitenden Aluminiumnitridhalbleiterkristall

EP2725124 Art B1 4. November 2015

Anmelder: National University Corporation Tokyo University of Agriculture and Technology, Tokuyama Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2725124
Aktenzeichen: EP14150924
Anmeldetag: 5. Februar 2008
Veröffentlichung: 4. November 2015
Erteilung: 4. November 2015
Rechtsraum: EP
IPC: C30B29/38C23C16/01C23C16/34C30B25/18H01L21/205H01L33/00C30B25/02C30B29/40H01L21/02

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Firmen: National University Corporation Tokyo University of Agriculture and Technology
Tokuyama Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokuyama

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Shunan, gegründet 1918. Produziert unter anderem Spezialchemikalien, Zement und Halbleitermaterialien.

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Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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Adam, Holger München, Deutschland

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