Halbleiterbauelement mit einer Diode und mit einem Bipolartransistor und Verfahren zur Herstellung einer solchen Vorrichtung
EP2725615
Art B1
23. Januar 2019
Anmelder: IMEC VZW, IMEC 🇧🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2725615
- Aktenzeichen
- EP12190455
- Anmeldetag
- 29. Oktober 2012
- Veröffentlichung
- 23. Januar 2019
- Erteilung
- 23. Januar 2019
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/02H01L29/866H01L21/329H01L29/06H01L29/36
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- IMEC VZW
IMEC - Land
- 🇧🇪 Belgien
🇧🇪
imec
Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.
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