Verfahren zur Herstellung einer Dicken Epitaktischen Schicht aus Galliumnitrid auf einem Silicium oder Ähnlichen Substrat und mit Diesem Verfahren Hergestellte Schicht

EP2727133 Art B1 20. Mai 2020

Anmelder: Soitec, Centre National de la Recherche Scientifique (C.N.R.S.), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), OMMIC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2727133
Aktenzeichen: EP12730957
Anmeldetag: 28. Juni 2012
Veröffentlichung: 20. Mai 2020
Erteilung: 20. Mai 2020
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/02H01L21/20C30B25/02H01L29/872C30B29/38

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Soitec
Centre National de la Recherche Scientifique (C.N.R.S.)
Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
OMMIC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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🇫🇷 Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Französische staatliche Forschungsorganisation mit Sitz in Paris. Betreibt Grundlagen- und angewandte Forschung in nahezu allen wissenschaftlichen Disziplinen über zahlreiche Institute und Labore.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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