Halbleiterumrichter und Verfahren zur Herstellung davon

EP2728617 Art B1 23. Oktober 2019

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2728617
Aktenzeichen: EP13183676
Anmeldetag: 10. September 2013
Veröffentlichung: 23. Oktober 2019
Erteilung: 23. Oktober 2019
Rechtsraum: EP
IPC: H01L25/07H01L23/50H01L21/48H01L23/31H01L23/40H01L23/473H01L23/495H01L25/00

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

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