Galliumnitrid-Halbleiterlaserelement sowie Verfahren zur Herstellung eines Galliumnitrid-Halbleiterlaserelements
EP2728684
Art A1
7. Mai 2014
Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd., Sony Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2728684
- Aktenzeichen
- EP12805352
- Anmeldetag
- 6. März 2012
- Veröffentlichung
- 7. Mai 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01S5/20H01S5/343
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Sony Corporation - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
11.186 Patente in unserer Datenbank
🇯🇵
Sony Group
Japanischer Technologie- und Unterhaltungskonzern mit Sitz in Tokio. Sony entwickelt Unterhaltungselektronik, Bildsensoren, Spielesysteme sowie Musik- und Filmangebote.
37.212 Patente in unserer Datenbank