Hochreines Yttrium, Verfahren zur Herstellung von Hochreinem Yttrium, Hochreines Yttrium-Sputtertarget, mit Hochreinem mit Yttrium-Sputtertarget Abgeschiedener Metallgatefilm sowie Halbleiterelement und Vorrichtung mit dem Metallgatefilm
EP2730668
Art A1
14. Mai 2014
Anmelder: JX Nippon Mining & Metals Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2730668
- Aktenzeichen
- EP11868863
- Anmeldetag
- 15. September 2011
- Veröffentlichung
- 14. Mai 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C22B59/00C22B9/02C22C28/00C23C14/34C25C3/34
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- JX Nippon Mining & Metals Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
JX Nippon Mining & Metals
JX Nippon Mining & Metals Corporation ist ein japanisches Unternehmen der Nichteisenmetallindustrie, das Kupfer, Halbleitermaterialien und Metallverarbeitung herstellt, Teil der ENEOS-Gruppe.
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Hoarton, Lloyd Douglas Charles
München, Deutschland
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