Halbleiterbauelement und Treiberschaltung mit aktivem Bauelement und über Widerstandsschaltung verbundene Isolationsstruktur und dazugehöriges Herstellungsverfahren
EP2731144
Art B1
6. Juni 2018
Anmelder: NXP USA, Inc., Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2731144
- Aktenzeichen
- EP13191777
- Anmeldetag
- 6. November 2013
- Veröffentlichung
- 6. Juni 2018
- Erteilung
- 6. Juni 2018
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L21/336H01L21/761
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NXP USA, Inc.
Freescale Semiconductor, Inc. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
NXP USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
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Fachgebiete
Weitere Vertreter
-
Ferro, Frodo Nunes
NoneToulouse