Halbleiterbauelement und Treiberschaltung mit aktivem Bauelement und über Diodenschaltung verbundene Isolationsstruktur und dazugehöriges Herstellungsverfahren
EP2731145
Art A3
29. Juli 2015
Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2731145
- Aktenzeichen
- EP13191789
- Anmeldetag
- 6. November 2013
- Veröffentlichung
- 29. Juli 2015
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L21/336H01L21/761
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Freescale Semiconductor, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Freescale Semiconductor
Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.
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Vertreten von
Ferro, Frodo Nunes
Toulouse, Frankreich
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Freescale law department - EMEA patent ops
Freescale law department - EMEA patent ops · Toulouse