Herstellungsverfahren für ein Nitridhalbleiter-Lichtemissionselement, Wafer und Nitridhalbleiter-Lichtemissionselement

EP2731151 Art B1 30. November 2016

Anmelder: Panasonic Corporation, Riken 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2731151
Aktenzeichen: EP12807972
Anmeldetag: 5. Juli 2012
Veröffentlichung: 30. November 2016
Erteilung: 30. November 2016
Rechtsraum: EP
IPC: H01L33/32H01L21/02H01L33/00H01L33/06H01L33/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Panasonic Corporation
Riken
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Panasonic

Japanischer Konzern, der Haushaltsgeräte, Unterhaltungselektronik, Batterien sowie Komponenten und Lösungen für Industrie und Automobilbau entwickelt und herstellt.

55.053 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 RIKEN

Japanische staatliche Forschungseinrichtung mit Sitz in Wako bei Tokio, aktiv in Physik, Chemie, Biologie und Ingenieurwissenschaften mit zahlreichen Forschungszentren.

1.684 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von