Kaskodenhalbleiterbauelemente

EP2736170 Art B1 17. Juni 2015

Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2736170
Aktenzeichen
EP12194065
Anmeldetag
23. November 2012
Veröffentlichung
17. Juni 2015
Erteilung
17. Juni 2015
Rechtsraum
EP
IPC
H03K17/082H03K17/10H03K17/567
Offizieller Volltext

Abstract

The invention provides a cascode transistor circuit with a main power transistor (10) and a cascode MOSFET (12) formed as an integrated circuit, packaged to form the cascode transistor circuit. A control and protection circuit (14) is integrated into the integrated circuit together and a storage capacitor (C1)provides an energy source to drive the control and protection circuit (14). A charging circuit (D1, D2) is also integrated into the integrated circuit for charging the storage capacitor (C1).

Anmelder

Firma
NXP B.V.
Land
🇳🇱 Niederlande
🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

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