Hochspannungs-Mosfet und Verfahren zu dessen Herstellung

EP2737539 Art B1 13. Januar 2021

Anmelder: Microchip Technology Incorporated 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2737539
Aktenzeichen
EP12750895
Anmeldetag
23. Juli 2012
Veröffentlichung
13. Januar 2021
Erteilung
13. Januar 2021
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/78H01L29/08H01L29/36H01L29/10H01L23/544H01L21/336H01L29/423H01L21/266
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Microchip Technology Incorporated
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Microchip Technology

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Chandler, Arizona, bekannt für Mikrocontroller und analoge Halbleiterbauelemente.

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