Verfahren zur Herstellung eines Bauteils einer hängenden Struktur und eines Transistors, die auf demselben Substrat integriert sind
Anmelder: Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2741331
- Aktenzeichen
- EP13195885
- Anmeldetag
- 5. Dezember 2013
- Veröffentlichung
- 25. Oktober 2017
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/06B81C1/00H01L27/12
Abstract
The method involves forming sacrificial blocks in a first region of semi-conducting layer, where the blocks are arranged on sides of semi-conducting block (110) forming a suspended structure of electro-mechanical component (C). A transistor (T) is formed from a second region. Interconnection levels are formed in an insulating layer, and a cavity is formed in the insulating layer so as to reveal partially the semi-conducting and sacrificial blocks. The sacrificial blocks and sacrificial layer around the semi-conducting block are removed from the cavity to release the semi-conducting block.
Anmelder
- Firma
- Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
Die Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (CEA) ist eine französische staatliche Forschungseinrichtung mit Schwerpunkt Kernenergie, alternative Energien und Grundlagenforschung. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Mess- und Prüftechnik, ergänzt durch Software, Energietechnik und Werkstoffkunde. Anmeldungen sind seit 2000 durchgehend belegt.
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