Verfahren zur Anpassung des Dotierungsmittelprofils in einem Laserkristall mit Zonenverarbeitung
EP2744930
Art B1
11. Januar 2017
Anmelder: Raytheon Company 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2744930
- Aktenzeichen
- EP12823996
- Anmeldetag
- 16. August 2012
- Veröffentlichung
- 11. Januar 2017
- Erteilung
- 11. Januar 2017
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B1/08C30B13/34C30B33/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Raytheon Company
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Raytheon Company
US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.
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Vertreten von
Hill, Justin John
London, Großbritannien
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Dentons UK and Middle East LLP
Dentons UK and Middle East LLP · London
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Lawrence, John
NoneBirmingham