Bipolartransistor mit isoliertem Gate und Verfahren zu dessen Herstellung
EP2747142
Art A1
25. Juni 2014
Anmelder: ABB Technology AG 🇨🇭
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2747142
- Aktenzeichen
- EP12198303
- Anmeldetag
- 20. Dezember 2012
- Veröffentlichung
- 25. Juni 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/739H01L29/06H01L21/331// H01L29/08H01L29/40
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- ABB Technology AG
- Land
- 🇨🇭 Schweiz
🇨🇭
ABB
Schweizerisch-schwedischer Technologiekonzern mit Sitz in Zürich. Fokussiert auf Elektrifizierung, Robotik, industrielle Automatisierung sowie Antriebstechnik für Industrie- und Energiekunden.
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