GaN-HEMTs und GaN-Dioden
EP2747143
Art A1
25. Juni 2014
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2747143
- Aktenzeichen
- EP12198130
- Anmeldetag
- 19. Dezember 2012
- Veröffentlichung
- 25. Juni 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/778H01L29/423H01L23/31// H01L23/29H01L29/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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Crawford, Andrew
Nijmegen, Niederlande
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