Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren für ein Halbleiterbauelement
EP2750187
Art B1
1. Januar 2020
Anmelder: Fuji Electric Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2750187
- Aktenzeichen
- EP12825504
- Anmeldetag
- 24. August 2012
- Veröffentlichung
- 1. Januar 2020
- Erteilung
- 1. Januar 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L25/07H01L23/04H01L23/48H01L23/049H01L23/373H01L23/498H05K5/02H01L21/56H01L23/053H01L23/10H01L23/14H01L23/29H01L23/31H01L23/34H01L23/36H01L23/544H01L29/66
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Fuji Electric Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Fuji Electric
Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.
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