Verfahren zur Charakterisierung von flachen Dotiergebieten für die Verwendung in Halbleiterbauelementen
EP2757579
Art B1
19. Juni 2019
Anmelder: IMEC VZW, IMEC 🇧🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2757579
- Aktenzeichen
- EP13151644
- Anmeldetag
- 17. Januar 2013
- Veröffentlichung
- 19. Juni 2019
- Erteilung
- 19. Juni 2019
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/66// G01R31/26
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- IMEC VZW
IMEC - Land
- 🇧🇪 Belgien
🇧🇪
imec
Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.
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