Verfahren zur Charakterisierung von flachen Dotiergebieten für die Verwendung in Halbleiterbauelementen

EP2757579 Art B1 19. Juni 2019

Anmelder: IMEC VZW, IMEC 🇧🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2757579
Aktenzeichen
EP13151644
Anmeldetag
17. Januar 2013
Veröffentlichung
19. Juni 2019
Erteilung
19. Juni 2019
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/66// G01R31/26
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
IMEC VZW
IMEC
Land
🇧🇪 Belgien
🇧🇪 imec

Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.

2.629 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen