Bipolar-CMOS-DMOS-Prozesse
EP2757580
Art A1
23. Juli 2014
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2757580
- Aktenzeichen
- EP13152160
- Anmeldetag
- 22. Januar 2013
- Veröffentlichung
- 23. Juli 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/84H01L27/12H01L21/762
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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Vertreten von
Crawford, Andrew
Nijmegen, Niederlande
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