Bias-Schaltung

EP2760130 Art B1 1. Juli 2015

Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2760130
Aktenzeichen
EP13290021
Anmeldetag
28. Januar 2013
Veröffentlichung
1. Juli 2015
Erteilung
1. Juli 2015
Rechtsraum
EP
IPC
H01L23/66H03F1/02H03F1/30H03F3/19
Offizieller Volltext

Abstract

Proposed is a bias circuit for a transistor in a C class amplifier. The bias circuit comprises: a class AB amplifier bias voltage generating means adapted to generate a bias voltage at an output terminal; and a transistor connected between the output terminal and a first reference voltage, the control terminal of the transistor being connected to a second reference voltage via a switch. Closure of the switch connects the second reference voltage to the control terminal of the transistor to cause a shift in the bias voltage generated by the class AB amplifier bias voltage generating means to achieve a predetermined class C bias voltage at the output terminal.

Anmelder

Firma
NXP B.V.
Land
🇳🇱 Niederlande
🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

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