Struktur mit Monolithischer Heterogener Integration von Verbundhalbleitern mit Elementarem Halbleiter

EP2761649 Art B1 15. April 2020

Anmelder: Raytheon Company 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2761649
Aktenzeichen: EP12770335
Anmeldetag: 7. September 2012
Veröffentlichung: 15. April 2020
Erteilung: 15. April 2020
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/84H01L21/8258H01L27/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Raytheon Company
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Raytheon Company

US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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