Verfahren zur Herstellung einer Siliciumcarbidhalbleitervorrichtung

EP2763176 Art A1 6. August 2014

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2763176
Aktenzeichen: EP12836177
Anmeldetag: 15. August 2012
Veröffentlichung: 6. August 2014
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/331H01L29/739H01L29/16

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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