Transistor mit hoher Elektronenbewglichkeit (HEMT)

EP2763179 Art B1 9. September 2020

Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2763179
Aktenzeichen: EP14150329
Anmeldetag: 7. Januar 2014
Veröffentlichung: 9. September 2020
Erteilung: 9. September 2020
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/10H01L29/20H01L29/40H01L29/423H01L29/778

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Renesas Electronics Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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