Bondingverfahren für Halbleiterelement und Bondingstruktur
EP2770540
Art A1
27. August 2014
Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2770540
- Aktenzeichen
- EP12841246
- Anmeldetag
- 17. Oktober 2012
- Veröffentlichung
- 27. August 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L31/043H01L31/18H01L25/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.
3.785 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Hoarton, Lloyd Douglas Charles
München, Deutschland
1.651
Patente gesamt
34
Fachgebiete
27
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Forresters IP LLP
Forresters IP LLP · München